TY - JOUR AU - Novoselov, K. S. AU - Geim, A. K. AU - Morozov, S. V. AU - Jiang, D. AU - Zhang, Y. AU - Dubonos, S. V. AU - Grigorieva, I. V. AU - Firsov, A. A. PY - 2004 DA - 2004// TI - Electric field effect in atomically thin carbon films JO - Science VL - 306 ID - Novoselov2004 ER - TY - JOUR AU - Novoselov, K. S. AU - Geim, A. K. AU - Morozov, S. V. AU - Jiang, D. AU - Katsnelson, M. I. AU - Grigorieva, S. V. D. AU - Firsov, A. A. PY - 2005 DA - 2005// TI - Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene JO - Nature VL - 438 ID - Novoselov2005 ER - TY - JOUR AU - Bolotin, K. I. AU - Sikes, K. J. AU - Jiang, Z. AU - Klima, M. AU - Fudenberg, G. AU - Hone, J. AU - Kim, P. AU - Stormer, H. L. PY - 2008 DA - 2008// TI - Ultrahigh electron mobility in suspended graphene JO - Solid. State. Commun. VL - 146 ID - Bolotin2008 ER - TY - JOUR AU - Novoselov, K. S. AU - Jiang, D. AU - Schedin, F. AU - Booth, T. J. AU - Khotkevich, V. V. AU - Morozov, S. V. AU - Geim, A. K. PY - 2005 DA - 2005// TI - Two-dimensional atomic crystals JO - Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. VL - 102 ID - Novoselov2005 ER - TY - JOUR AU - Morozov, S. V. AU - Novoselov, K. S. AU - Katsnelson, M. I. AU - Schedin, F. AU - Elias, D. C. AU - Jaszczak, J. A. AU - Geim, A. K. PY - 2008 DA - 2008// TI - Giant intrinsic carrier mobilities in graphene and its bilayer JO - Phys. Rev. Lett. VL - 100 ID - Morozov2008 ER - TY - JOUR AU - Zhang, Y. AU - Tan, J. W. AU - Stormer, H. L. AU - Kim, P. PY - 2005 DA - 2005// TI - Experimental observation of the quantum hall effect and Berry’s phase in graphene JO - Nature VL - 438 ID - Zhang2005 ER - TY - JOUR AU - Nair, R. R. AU - Blake, P. AU - Grigorenko, A. N. AU - Novoselov, K. S. AU - Booth, T. J. AU - Stauber, T. AU - Peres, N. M. R. AU - Geim, A. K. PY - 2008 DA - 2008// TI - Fine structure constant defines visual transparency of graphene JO - Science VL - 320 ID - Nair2008 ER - TY - JOUR AU - Lee, C. AU - Wei, X. AU - Kysar, J. W. AU - Hone, J. PY - 2008 DA - 2008// TI - Measurement of the elastic properties and intrinsic strength of monolayer graphene JO - Science VL - 321 ID - Lee2008 ER - TY - JOUR AU - Geim, A. K. AU - Novoselov, K. S. PY - 2007 DA - 2007// TI - The rise of graphene JO - Nat. Mater. VL - 6 ID - Geim2007 ER - TY - JOUR AU - Geim, A. K. PY - 2009 DA - 2009// TI - Graphene: status and prospects JO - Science VL - 324 ID - Geim2009 ER - TY - JOUR AU - Hong, S. K. AU - Kim, K. Y. AU - Kim, T. Y. AU - Kim, J. H. AU - Park, S. W. AU - Kim, J. H. AU - Cho, B. J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Electromagnetic interference shielding effectiveness of monolayer graphene JO - Nanotechnol. VL - 23 ID - Hong2012 ER - TY - JOUR AU - Kim, J. T. AU - Kim, J. AU - Choi, H. AU - Choi, C. G. AU - Choi, S. -. Y. PY - 2012 DA - 2012// TI - Graphene-based photonic devices for soft hybrid optoelectronic systems JO - Nanotechnol. VL - 23 ID - Kim2012 ER - TY - JOUR AU - Lee, S. H. AU - Choi, M. AU - Kim, T. T. AU - Lee, S. AU - Liu, M. AU - Yin, X. AU - Choi, H. K. AU - Lee, S. S. AU - Choi, C. G. AU - Choi, S. -. Y. AU - Zhang, X. AU - Min, B. PY - 2012 DA - 2012// TI - Switching terahertz waves with gate-controlled active graphene metamaterials JO - Nat. Mater. VL - 11 ID - Lee2012 ER - TY - JOUR AU - Choi, H. AU - Choi, J. S. AU - Kim, J. S. AU - Choe, J. H. AU - Chung, K. H. AU - Shin, J. W. AU - Kim, J. T. AU - Youn, D. H. AU - Kim, K. C. AU - Lee, J. I. AU - Choi, S. -. Y. AU - Kim, P. AU - Choi, C. G. AU - Yu, Y. J. PY - 2014 DA - 2014// TI - Flexible and transparent gas molecule sensor integrated with sensing and heating graphene layers JO - Small VL - 10 ID - Choi2014 ER - TY - JOUR AU - Kim, J. H. AU - Seo, J. AU - Kwon, D. G. AU - Hong, J. A. AU - Hwang, J. AU - Choi, H. K. AU - Moon, J. AU - Lee, J. I. AU - Jung, D. Y. AU - Choi, S. -. Y. AU - Park, Y. PY - 2014 DA - 2014// TI - Carrier injection efficiencies and energy level alignments of multilayer graphene anodes for organic light-emitting diodes with different hole injection layers JO - Carbon VL - 79 ID - Kim2014 ER - TY - JOUR AU - Li, X. AU - Cai, W. AU - An, J. AU - Kim, S. AU - Nah, J. AU - Yang, D. AU - Piner, R. AU - Velamakanni, A. AU - Jung, I. AU - Tutuc, E. AU - Banerjee, S. K. AU - Colombo, L. AU - Ruoff, R. S. PY - 2009 DA - 2009// TI - Large-area synthesis of high-quality and uniform graphene films on copper foils JO - Science VL - 324 ID - Li2009 ER - TY - JOUR AU - Li, X. AU - Magnuson, C. W. AU - Venugopal, A. AU - An, J. AU - Suk, J. W. AU - Han, B. AU - Boryslak, M. AU - Cai, W. AU - Velamakanni, A. AU - Zhu, Y. AU - Fu, L. AU - Vogel, E. M. AU - Voelkl, E. AU - Colombo, L. AU - Ruoff, R. S. PY - 2010 DA - 2010// TI - Graphene films with large domain size by a two-step chemical vapor deposition process JO - Nano Lett. VL - 10 ID - Li2010 ER - TY - JOUR AU - Wang, H. AU - Wang, G. AU - Bao, P. AU - Yang, S. AU - Zhu, W. AU - Xie, X. AU - Zhang, W. J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Controllable synthesis of submillimeter single-crystal monolayer graphene domains on copper foils by suppressing nucleation JO - J. Am. Chem. Soc. VL - 134 ID - Wang2012 ER - TY - JOUR AU - Bae, S. AU - Kim, H. AU - Lee, Y. AU - Xu, X. AU - Park, J. S. AU - Zheng, Y. AU - Balakrishnan, J. AU - Lei, T. AU - Kim, H. R. AU - Song, Y. I. AU - Kim, Y. J. AU - Kim, K. S. AU - Ozyilmaz, B. AU - Ahn, J. H. AU - Hong, B. H. AU - Iijima, S. PY - 2010 DA - 2010// TI - Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes JO - Nat. Nanotechnol. VL - 5 ID - Bae2010 ER - TY - JOUR AU - Chen, S. AU - Ji, H. AU - Chou, H. AU - Li, Q. AU - Li, H. AU - Suk, J. W. AU - Piner, R. AU - Liao, L. AU - Cai, W. AU - Ruoff, R. S. PY - 2013 DA - 2013// TI - Millimeter-size single-crystal graphene by suppressing evaporative loss of Cu during low pressure chemical vapor deposition JO - Adv. Mater. VL - 25 ID - Chen2013 ER - TY - JOUR AU - Lee, J. AU - Baek, J. AU - Ryu, G. H. AU - Lee, M. J. AU - Oh, S. AU - Hong, S. K. AU - Kim, B. H. AU - Lee, S. H. AU - Cho, B. J. AU - Lee, Z. AU - Jeon, S. PY - 2014 DA - 2014// TI - High-angle tilt boundary graphene domain recrystallized from mobile hot-wire-assisted chemical vapor deposition system JO - Nano Lett. VL - 14 ID - Lee2014 ER - TY - JOUR AU - Mun, J. H. AU - Cho, B. J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Synthesis of monolayer graphene having a negligible amount of wrinkles by stress relaxation JO - Nano Lett. VL - 13 ID - Mun2013 ER - TY - JOUR AU - Brown, L. AU - Lochocki, E. B. AU - Avila, J. AU - Kim, C. J. AU - Ogawa, Y. AU - Havener, R. W. AU - Kim, D. K. AU - Monkman, E. J. AU - Shai, D. E. AU - Wei, H. I. AU - Levendorf, M. P. AU - Asensio, M. AU - Shen, K. M. AU - Park, J. PY - 2014 DA - 2014// TI - Polycrystalline graphene with single crystalline electronic structure JO - Nano Lett. VL - 14 ID - Brown2014 ER - TY - JOUR AU - Chen, J. AU - Wen, Y. AU - Guo, Y. AU - Wu, B. AU - Huang, L. AU - Xue, Y. AU - Geng, D. AU - Wang, D. AU - Yu, G. AU - Liu, Y. PY - 2011 DA - 2011// TI - Oxygen-aided synthesis of polycrystalline graphene on silicon dioxide substrates JO - J. Am. Chem. Soc. VL - 133 ID - Chen2011 ER - TY - JOUR AU - Lee, J. H. AU - Lee, E. K. AU - Joo, W. J. AU - Jang, Y. AU - Kim, B. S. AU - Lim, J. Y. AU - Choi, S. H. AU - Ahn, S. J. AU - Ahn, J. R. AU - Park, M. H. AU - Yang, C. W. AU - Choi, B. L. AU - Hwang, S. W. AU - Whang, D. PY - 2014 DA - 2014// TI - Wafer-scale growth of single-crystal monolayer graphene on reusable hydrogen-terminated germanium JO - Science VL - 344 ID - Lee2014 ER - TY - JOUR AU - Yu, Q. AU - Jauregui, L. A. AU - Wu, W. AU - Colby, R. AU - Tian, J. AU - Su, Z. AU - Cao, H. AU - Liu, Z. AU - Pandey, D. AU - Wei, D. AU - Chung, T. F. AU - Peng, P. AU - Guisinger, N. P. AU - Stach, E. A. AU - Bao, J. AU - Pei, S. S. AU - Chen, Y. P. PY - 2011 DA - 2011// TI - Control and characterization of individual grains and grain boundaries in graphene grown by chemical vapor deposition JO - Nat. Mater. VL - 10 ID - Yu2011 ER - TY - JOUR AU - Zhang, Y. AU - Zhang, L. AU - Kim, P. AU - Ge, M. AU - Li, Z. AU - Zhou, C. PY - 2012 DA - 2012// TI - Vapor trapping growth of single-crystalline graphene flowers: synthesis, morphology, and electronic properties JO - Nano Lett. VL - 12 ID - Zhang2012 ER - TY - JOUR AU - Zhou, H. AU - Yu, W. J. AU - Liu, L. AU - Cheng, R. AU - Chen, Y. AU - Huang, X. AU - Liu, Y. AU - Wang, Y. AU - Huang, Y. AU - Duan, X. PY - 2013 DA - 2013// TI - Chemical vapor deposition growth of large single crystals of monolayer and bilayer graphene JO - Nat. Commun. VL - 4 ID - Zhou2013 ER - TY - JOUR AU - Tsen, A. W. AU - Brown, L. AU - Levendorf, M. P. AU - Ghahari, F. AU - Huang, P. Y. AU - Havener, R. W. AU - Ruiz-Vargas, C. S. AU - Muller, D. A. AU - Kim, P. AU - Park, J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Tailoring electrical transport across grain boundaries in polycrystalline graphene JO - Science VL - 336 ID - Tsen2012 ER - TY - JOUR AU - Chen, C. W. AU - Ren, F. AU - Chi, G. C. AU - Hung, S. C. AU - Huang, Y. P. PY - 2012 DA - 2012// TI - Effects of semiconductor processing chemicals on conductivity of graphene JO - J. Vac. Sci. Technol. B VL - 30 ID - Chen2012 ER - TY - JOUR AU - Chan, J. AU - Venugopal, A. AU - Pirkle, A. AU - McDonnell, S. AU - Hinojos, D. AU - Magnuson, C. W. AU - Ruoff, R. S. AU - Colombo, L. AU - Wallace, R. M. AU - Vogel, E. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - Reducing extrinsic performance-limiting factors in graphene grown by chemical vapor deposition JO - ACS Nano VL - 6 ID - Chan2012 ER - TY - STD TI - A Pirkle, J Chan, A Venugopal, D Hinojos, CW Magnuson, S McDonnell, L Colombo, EM Vogel, RS Ruoff, RM Wallace, The effect of chemical residues on the physical and electrical properties of chemical vapor deposited graphene transferred to SiO2. Appl. Phys. Lett. 99, 122108 (2011) ID - ref32 ER - TY - STD TI - Z Cheng, Q Zhou, C Wang, Q Li, C Wang, Y Fang, Toward intrinsic graphene surfaces: a systematic study on thermal annealing and wet-chemical treatment of SiO2-supported graphene devices. Nano Lett. 11, 761–771 (2011) ID - ref33 ER - TY - JOUR AU - Casiraghi, C. AU - Pisana, S. AU - Novoselov, K. S. AU - Geim, A. K. AU - Ferrari, A. C. PY - 2007 DA - 2007// TI - Raman fingerprint of charged impurities in graphene JO - Appl. Phys. Lett. VL - 91 ID - Casiraghi2007 ER - TY - STD TI - S Ryu, L Liu, S Berclaud, YJ Yu, H Liu, P Kim, GW Flynn, LE Brus, Atmospheric oxygen binding hole doping in deformed graphene on a SiO2 substrate. Nano Lett. 10, 4944–4951 (2010) ID - ref35 ER - TY - JOUR AU - Li, X. AU - Zhu, Y. AU - Cai, W. AU - Borysiak, M. AU - Han, B. AU - Chen, D. AU - Piner, R. D. AU - Colombo, L. AU - Ruoff, R. S. PY - 2009 DA - 2009// TI - Transfer of large-area graphene films for high-performance transparent conductive electrodes JO - Nano Lett. VL - 9 ID - Li2009 ER - TY - JOUR AU - Song, J. AU - Kam, F. -. Y. AU - Png, R. -. Q. AU - Seah, W. -. L. AU - Zhou, J. -. M. AU - Lim, G. -. K. AU - Ho, P. K. H. AU - Chua, L. -. L. PY - 2013 DA - 2013// TI - A general method for transferring graphene onto soft surfaces JO - Nat. Nanotechnol. VL - 8 ID - Song2013 ER - TY - JOUR AU - Kang, J. AU - Hwang, S. AU - Kim, J. H. AU - Kim, M. H. AU - Ryu, J. AU - Seo, S. J. AU - Hong, B. H. AU - Kim, M. K. AU - Choi, J. -. B. PY - 2012 DA - 2012// TI - Efficient transfer of large-area graphene films onto rigid substrates by hot pressing JO - ACS Nano VL - 6 ID - Kang2012 ER - TY - JOUR AU - Suk, J. W. AU - Kitt, A. AU - Magnuson, C. W. AU - Hao, Y. AU - Ahmed, S. AU - An, J. AU - Swan, A. K. AU - Goldberg, B. B. AU - Ruoff, R. S. PY - 2011 DA - 2011// TI - Transfer of CVD-grown monolayer graphene onto arbitrary substrates JO - ACS Nano VL - 5 ID - Suk2011 ER - TY - JOUR AU - Chen, X. -. D. AU - Liu, Z. -. B. AU - Zheng, C. -. Y. AU - Xing, F. AU - Yan, X. -. Q. AU - Chen, Y. AU - Tian, J. -. G. PY - 2013 DA - 2013// TI - High quality and efficient transfer of large-area graphene films onto different substrates JO - Carbon VL - 56 ID - Chen2013 ER - TY - JOUR AU - Liang, X. AU - Sperling, B. A. AU - Calizo, I. AU - Cheng, G. AU - Hacker, C. A. AU - Zhang, Q. AU - Obeng, Y. AU - Yan, K. AU - Peng, H. AU - Li, Q. AU - Zhu, X. AU - Yuan, H. AU - Hight Walker, A. R. AU - Liu, Z. AU - Peng, L. -. M. AU - Richter, C. A. PY - 2011 DA - 2011// TI - Toward clean and crackles transfer of graphene JO - ACS Nano VL - 5 ID - Liang2011 ER - TY - JOUR AU - Choi, H. K. AU - Kim, J. Y. AU - Jeong, H. Y. AU - Choi, C. G. AU - Choi, S. -. Y. PY - 2012 DA - 2012// TI - Characterization of chemical vapor deposition-grown graphene films with various etchants JO - Carbon Lett. VL - 13 ID - Choi2012 ER - TY - JOUR AU - Suk, J. W. AU - Lee, W. H. AU - Lee, J. AU - Chou, H. AU - Piner, R. D. AU - Hao, Y. AU - Akinwande, D. AU - Ruoff, R. S. PY - 2013 DA - 2013// TI - Enhancement of the electrical properties of graphene grown by chemical vapor deposition via controlling the effects for polymer residue JO - Nano Lett. VL - 13 ID - Suk2013 ER - TY - JOUR AU - Wang, Y. AU - Zheng, Y. AU - Xu, X. AU - Dubuisson, E. AU - Bao, Q. AU - Lu, J. AU - Loh, K. P. PY - 2011 DA - 2011// TI - Electrochemical delamination of CVD-grown graphene film: Toward the recyclable use of copper catalyst JO - ACS Nano VL - 5 ID - Wang2011 ER - TY - STD TI - CJL de la Rosa, J Sun, N Lindvall, MT Cole, Y Nam, M Loffler, E Olsson, KBK Teo, A Yurgens, Frame assisted H2O electrolysis induced H2 bubbling transfer of large area graphene grown by chemical vapor deposition on Cu. Appl. Phys. Lett. 102, 022101 (2013) ID - ref45 ER - TY - JOUR AU - Gao, L. AU - Ren, W. AU - Xu, H. AU - Jin, L. AU - Wang, Z. AU - Ma, T. AU - Ma, L. -. P. AU - Zhang, Z. AU - Fu, Q. AU - Peng, L. -. M. AU - Bao, X. AU - Cheng, H. -. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - Repeated growth and bubbling transfer of graphene with millimeter-size single-crystal grains using platinum JO - Nat. Commun. VL - 3 ID - Gao2012 ER - TY - JOUR AU - Wang, X. AU - Tao, L. AU - Hao, Y. AU - Liu, Z. AU - Chou, H. AU - Kholmanov, I. AU - Chen, S. AU - Tan, C. AU - Jayant, N. AU - Yu, Q. AU - Akinwande, D. AU - Ruoff, R. S. PY - 2014 DA - 2014// TI - Direct delamination of graphene for high-performance plastic electronics JO - Small VL - 10 ID - Wang2014 ER - TY - STD TI - CT Cherian, F Giustiniano, I Martin-Fernandez, H Andersen, J Balakrishnan, B Ozyilmaz, Bubble-free electrochemical delamination of CVD graphene films, Small. (2014).doi:10.1002/smll.201402024 . ID - ref48 ER - TY - JOUR AU - Ciuk, T. AU - Pasternak, I. AU - Krajewska, A. AU - Sobieski, J. AU - Caban, P. AU - Szmidt, J. AU - Strupinski, W. PY - 2013 DA - 2013// TI - Properties of chemical vapor deposition graphene transferred by high-speed electrochemical delamination JO - J. Phys. Chem. C VL - 117 ID - Ciuk2013 ER - TY - JOUR AU - Sutter, P. W. AU - Flege, J. I. AU - Sutter, E. A. PY - 2008 DA - 2008// TI - Epitaxial graphene on ruthenium JO - Nat. Mater. VL - 7 ID - Sutter2008 ER - TY - JOUR AU - Coraux, J. AU - N’Diaye, A. T. AU - Engler, M. AU - Busse, C. AU - Wall, D. AU - Buckanie, N. AU - Heringdorf, F. J. M. Z. AU - Gastel, R. AU - Poelsema, B. AU - Michely, T. PY - 2009 DA - 2009// TI - Growth of graphene on Ir(111) JO - New J. Phys. VL - 11 ID - Coraux2009 ER - TY - BOOK AU - Jung, D. Y. PY - 2014 DA - 2014// TI - A Study on Graphene Synthesis by CVD Method and Graphene Transfer Method via Electrochemical Delamination PB - Korea Advanced Institute of Science and Technology CY - Daejeon, Republic of Korea ID - Jung2014 ER - TY - JOUR AU - Yoon, T. AU - Shin, W. C. AU - Kim, T. Y. AU - Mun, J. H. AU - Kim, T. -. S. AU - Cho, B. J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Direct measurement of adhesion energy of monolayer graphene as-grown on copper and its application to renewable transfer process JO - Nano Lett. VL - 12 ID - Yoon2012 ER - TY - JOUR AU - Shin, W. C. AU - Yoon, T. AU - Mun, J. H. AU - Kim, T. Y. AU - Choi, S. -. Y. AU - Kim, T. -. S. AU - Cho, B. J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Doping suppression and mobility enhancement of graphene transistors fabricated using an adhesion promoting dry transfer process JO - Appl. Phys. Lett. VL - 103 ID - Shin2013 ER - TY - JOUR AU - Jung, W. AU - Kim, D. AU - Lee, M. AU - Kim, S. AU - Kim, J. -. H. AU - Han, C. -. S. PY - 2014 DA - 2014// TI - Ultraconformal contact transfer of monolayer graphene on metal to various substrates JO - Adv. Mater. VL - 26 ID - Jung2014 ER - TY - STD TI - SY Yang, JG Oh, DY Jung, H Choi, CH Yu, J Shin, C-G Choi, BJ Cho, S-Y Choi, Metal-etching-free direct delamination and transfer of single-layer graphene with a high degree of freedom, Small. (2014).doi:10.1002/smll.201401196 ID - ref56 ER - TY - JOUR AU - Blake, P. AU - Hill, E. W. AU - Castro Neto, A. H. AU - Novoselov, K. S. AU - Jiang, D. AU - Yang, R. AU - Booth, T. J. AU - Geim, A. K. PY - 2007 DA - 2007// TI - Making graphene visible JO - Appl. Phys. Lett. VL - 91 ID - Blake2007 ER - TY - JOUR AU - Abergel, D. S. L. AU - Russell, A. AU - Fal’ko, V. I. PY - 2007 DA - 2007// TI - Visibility of graphene flakes on a dielectric substrate JO - Appl. Phys. Lett. VL - 91 ID - Abergel2007 ER - TY - JOUR AU - Wang, Q. H. AU - Jin, Z. AU - Kim, K. K. AU - Hilmer, A. J. AU - Paulus, G. L. C. AU - Shih, C. -. J. AU - Ham, M. -. H. AU - Sanchez-Yamagishi, J. D. AU - Watanabe, K. AU - Taniguchi, T. AU - Kong, J. AU - Jarillo-Herrero, P. AU - Strano, M. S. PY - 2012 DA - 2012// TI - Understanding and controlling the substrate effect on graphene electron-transfer chemistry via reactivity imprint lithography JO - Nat. Chem. VL - 4 ID - Wang2012 ER - TY - STD TI - J-H Chen, C Jang, S Xiao, M Ishigami, MS Fuhrer, Intrinsic and extrinsic performance limits of graphene devices on SiO2. Nat. Nanotechnol. 3, 206–209 (2008) ID - ref60 ER - TY - JOUR AU - Bolotin, K. I. AU - Sikes, K. J. AU - Hone, J. AU - Stormer, H. L. AU - Kim, P. PY - 2008 DA - 2008// TI - Temperature-dependent transport in suspended graphene JO - Phys. Rev. Lett. VL - 101 ID - Bolotin2008 ER - TY - JOUR AU - Robinson, J. P. AU - Schomerus, H. AU - Oroszlany, L. AU - Fal’ko, V. I. PY - 2008 DA - 2008// TI - Adsorbate-limited conductivity of graphene JO - Phys. Rev. Lett. VL - 101 ID - Robinson2008 ER - TY - JOUR AU - Farmer, D. B. AU - Golizadeh-Mojarad, R. AU - Perebeinos, V. AU - Lin, Y. -. M. AU - Tulevski, G. S. AU - Tsang, J. C. AU - Avouris, P. PY - 2009 DA - 2009// TI - Chemical doping and electron–hole conduction asymmetry in graphene devices JO - Nano Lett. VL - 9 ID - Farmer2009 ER - TY - JOUR AU - Chen, J. -. H. AU - Jang, C. AU - Adam, S. AU - Fuhrer, M. S. AU - Williams, E. D. AU - Ishigami, M. PY - 2008 DA - 2008// TI - Charged-impurity scattering in graphene JO - Nat. Phys. VL - 4 ID - Chen2008 ER - TY - JOUR AU - Chen, J. -. H. AU - Jang, C. AU - Ishigami, M. AU - Xiao, S. AU - Cullen, W. G. AU - Williams, E. D. AU - Fuhrer, M. S. PY - 2009 DA - 2009// TI - Diffusive charge transport in graphene on SiO2 JO - Solid. State. Commun. VL - 149 ID - Chen2009 ER - TY - JOUR AU - Lohmann, T. AU - Klitzing, K. AU - Smet, J. H. PY - 2009 DA - 2009// TI - Four-terminal magneto-transport in graphene p-n junctions created by spatially selective doping JO - Nano Lett. VL - 9 ID - Lohmann2009 ER - TY - STD TI - O Leenaerts, B Partoens, FM Peeters, Adsorption of H2O, NH3, CO, NO2, and NO on graphene: A first-principles study. Phys. Rev. B. 77, 125416 (2008) ID - ref67 ER - TY - JOUR AU - Wehling, T. O. AU - Katsnelson, M. I. AU - Lichtenstein, A. I. PY - 2009 DA - 2009// TI - Adsorbates on graphene: Impurity states and electron scattering JO - Chem. Phys. Lett. VL - 476 ID - Wehling2009 ER - TY - JOUR AU - Shin, D. -. W. AU - Lee, H. M. AU - Yu, S. M. AU - Lim, K. -. S. AU - Jung, J. H. AU - Kim, M. -. K. AU - Kim, S. -. W. AU - Han, J. -. H. AU - Ruoff, R. S. AU - Yoo, J. -. B. PY - 2012 DA - 2012// TI - A facile route to recover intrinsic graphene over large scale JO - ACS Nano VL - 6 ID - Shin2012 ER - TY - STD TI - P Joshi, HE Romero, AT Neal, VK Toutam, SA Tadigadapa, Instrinsic doping and gate hysteresis in graphene field effect devices fabricated on SiO2 substrates. J. Phys. Condens. Matter 22, 334214 (2010) ID - ref70 ER - TY - JOUR AU - Wang, H. AU - Wu, Y. AU - Cong, C. AU - Shang, J. AU - Yu, T. PY - 2010 DA - 2010// TI - Hysteresis of electronic transport in graphene transistors JO - ACS Nano VL - 4 ID - Wang2010 ER - TY - JOUR AU - Lee, W. H. AU - Park, J. AU - Kim, Y. AU - Kim, K. S. AU - Hong, B. H. AU - Cho, K. PY - 2011 DA - 2011// TI - Control of graphene field-effect transistors by interfacial hydrophobic self-assembled monolayers JO - Adv. Mater. VL - 23 ID - Lee2011 ER - TY - JOUR AU - Lafkioti, M. AU - Krauss, B. AU - Lohmann, T. AU - Zschieschang, U. AU - Klauk, H. AU - Klitzing, K. AU - Smet, J. H. PY - 2010 DA - 2010// TI - Graphene on a hydrophobic substrate: doping reduction and hysteresis suppression under ambient conditions JO - Nano Lett. VL - 10 ID - Lafkioti2010 ER - TY - JOUR AU - Chowdhury, S. F. AU - Sonde, S. AU - Rahimi, S. AU - Tao, L. AU - Banerjee, S. AU - Akinwande, D. PY - 2014 DA - 2014// TI - Improvement of graphene field-effect transistors by hexamethyldisilazane surface treatment JO - Appl. Phys. Lett. VL - 105 ID - Chowdhury2014 ER - TY - JOUR AU - Liu, Z. AU - Bol, A. A. AU - Haensch, W. PY - 2011 DA - 2011// TI - Large-scale graphene transistors with enhanced performance and reliability based on interface engineering by phenylsilane self-assembled monolayers JO - Nano Lett. VL - 11 ID - Liu2011 ER - TY - JOUR AU - Lv, H. AU - Wu, H. AU - Xiao, K. AU - Zhu, W. AU - Xu, H. AU - Zhang, Z. AU - Qian, H. PY - 2013 DA - 2013// TI - Graphene mobility enhancement by organosilane interface engineering JO - Appl. Phys. Lett. VL - 102 ID - Lv2013 ER - TY - STD TI - X Wang, J-B Xu, C Wang, J Du, W Xie, High performance graphene devices on SiO2/Si substrate modified by highly ordered self-assembled monolayers. Adv. Mater. 23, 2464–2468 (2011) ID - ref77 ER - TY - JOUR AU - Sabri, S. S. AU - Levesque, P. L. AU - Aguirre, C. M. AU - Guillemette, J. AU - Martel, R. AU - Szkopek, T. PY - 2009 DA - 2009// TI - Graphene field effect transistors with parylene gate dielectric JO - Appl. Phys. Lett. VL - 95 ID - Sabri2009 ER - TY - JOUR AU - Shin, W. C. AU - Seo, S. AU - Cho, B. J. PY - 2011 DA - 2011// TI - Highly air-stable electrical performance of graphene field effect transistors by interface engineering with amorphous fluoropolymer JO - Appl. Phys. Lett. VL - 98 ID - Shin2011 ER - TY - JOUR AU - Rafiee, J. AU - Mi, X. AU - Gullapalli, H. AU - Thomas, A. V. AU - Yavari, F. AU - Shi, Y. AU - Ajayan, P. M. AU - Koratkar, N. A. PY - 2012 DA - 2012// TI - Wetting transparency of graphene JO - Nat. Mater. VL - 11 ID - Rafiee2012 ER - TY - JOUR AU - Cernetic, N. AU - Wu, S. AU - Davies, J. A. AU - Krueger, B. W. AU - Hutchins, D. O. AU - Xu, X. AU - Ma, H. AU - Jen, A. K. -. Y. PY - 2014 DA - 2014// TI - Systematic doping control of CVD graphene transistors with functionalized aromatic self-assembled monolayers JO - Adv. Funct. Mater. VL - 24 ID - Cernetic2014 ER - TY - JOUR AU - Yokota, K. AU - Takai, K. AU - Enoki, T. PY - 2011 DA - 2011// TI - Carrier control of graphene driven by the proximity effect of functionalized self-assembled monolayers JO - Nano Lett. VL - 11 ID - Yokota2011 ER - TY - JOUR AU - Wang, R. AU - Wang, S. AU - Zhang, D. AU - Li, Z. AU - Fang, Y. AU - Qiu, X. PY - 2011 DA - 2011// TI - Control of carrier type and density in exfoliated graphene by interface engineering JO - ACS Nano VL - 5 ID - Wang2011 ER - TY - STD TI - Z Yan, Z Sun, W Lu, J Yao, Y Zhu, JM Tour, Controlled modulation of electronic properties of graphene by self-assembled monolayers on SiO2 substrates. ACS Nano 5, 1535–1540 (2011) ID - ref84 ER - TY - JOUR AU - Chen, H. AU - Guo, X. PY - 2013 DA - 2013// TI - Unique role of self-assembled monolayers in carbon nanomaterials-based field-effect transistors JO - Small VL - 9 ID - Chen2013 ER - TY - JOUR AU - Wang, S. AU - Suzuki, S. AU - Furukawa, K. AU - Orofeo, C. M. AU - Takamura, M. AU - Hibino, H. PY - 2013 DA - 2013// TI - Selective charge doping of chemical vapor deposition-grown graphene by interface modification JO - Appl. Phys. Lett. VL - 103 ID - Wang2013 ER - TY - JOUR AU - Kim, Y. AU - Park, J. AU - Kang, J. AU - Yoo, J. M. AU - Choi, K. AU - Kim, E. S. AU - Choi, J. -. B. AU - Hwang, C. AU - Novoselov, K. S. AU - Hong, B. H. PY - 2014 DA - 2014// TI - A highly conducting graphene film with dual-side molecular n-doping JO - Nanoscale VL - 6 ID - Kim2014 ER - TY - JOUR AU - Park, J. AU - Lee, W. H. AU - Huh, S. AU - Sim, S. H. AU - Kim, S. B. AU - Cho, K. AU - Hong, B. H. AU - Kim, K. S. PY - 2011 DA - 2011// TI - Work-function engineering of graphene electrodes by self-assembled monolayers for high-performance organic field-effect transistors JO - J. Phys. Chem. Lett. VL - 2 ID - Park2011 ER - TY - JOUR AU - Shi, R. AU - Xu, H. AU - Chen, B. AU - Zhang, Z. AU - Peng, L. -. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Scalable fabrication of graphene devices through photolithography JO - Appl. Phys. Lett. VL - 102 ID - Shi2013 ER - TY - JOUR AU - Kim, J. AU - Seidler, P. AU - Wan, L. S. AU - Fill, C. PY - 2009 DA - 2009// TI - Formation, structure, and reactivity of amino-terminated organic films on silicon substrates JO - J. Colloid Interface Sci. VL - 329 ID - Kim2009 ER - TY - JOUR AU - Bong, J. H. AU - Sul, O. AU - Yoon, A. AU - Choi, S. -. Y. AU - Cho, B. J. PY - 2014 DA - 2014// TI - Facile graphene n-doping by wet chemical treatment for electronic applications JO - Nanoscale VL - 6 ID - Bong2014 ER - TY - JOUR AU - Dean, C. R. AU - Young, A. F. AU - Meric, I. AU - Lee, C. AU - Wang, L. AU - Sorgenfrei, S. AU - Watanabe, K. AU - Taniguchi, T. AU - Kim, P. AU - Shepard, K. L. AU - Hone, J. PY - 2010 DA - 2010// TI - Boron nitride substrates for high-quality graphene electronics JO - Nat. Nanotechnol. VL - 5 ID - Dean2010 ER - TY - JOUR AU - Petrone, N. AU - Dean, C. R. AU - Meric, I. AU - Zande, A. M. AU - Huang, P. Y. AU - Wang, L. AU - Muller, D. AU - Shepard, K. L. AU - Hone, J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Chemical vapor deposition-derived graphene with electrical performance of exfoliated graphene JO - Nano Lett. VL - 12 ID - Petrone2012 ER - TY - JOUR AU - Kim, E. AU - Jain, N. AU - Xu, Y. AU - Yu, B. PY - 2012 DA - 2012// TI - Logic Inverter Implemented with CVD-assembled graphene FET on hexagonal boron nitride JO - IEEE Trans. Nanotechnol. VL - 11 ID - Kim2012 ER - TY - JOUR AU - Bresnehan, M. S. AU - Hollander, M. J. AU - Wetherington, M. AU - LaBella, M. AU - Trumbull, K. A. AU - Cavalero, R. AU - Snyder, D. W. AU - Robinson, J. A. PY - 2012 DA - 2012// TI - Integration of hexagonal boron nitride with quasi-freestanding epitaxial graphene: Toward wafer-scale, high performance devices JO - ACS Nano VL - 6 ID - Bresnehan2012 ER - TY - JOUR AU - Dean, C. AU - Young, A. F. AU - Wang, L. AU - Meric, I. AU - Lee, G. -. H. AU - Watanabe, K. AU - Taniguchi, T. AU - Shepard, K. AU - Kim, P. AU - Hone, J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Graphene based heterostructures JO - Solid. State. Commun. VL - 152 ID - Dean2012 ER - TY - JOUR AU - Decker, R. AU - Wang, Y. AU - Brar, V. W. AU - Regan, W. AU - Tsai, H. -. Z. AU - Wu, Q. AU - Gannett, W. AU - Zettl, A. AU - Crommie, M. F. PY - 2011 DA - 2011// TI - Local electronic properties of graphene on a BN substrate via scanning tunneling microscopy JO - Nano Lett. VL - 11 ID - Decker2011 ER - TY - JOUR AU - Wang, M. AU - Jang, S. K. AU - Jang, W. -. J. AU - Kim, M. AU - Park, S. -. Y. AU - Kim, S. -. W. AU - Kahng, S. -. J. AU - Choi, J. -. Y. AU - Ruoff, R. S. AU - Song, Y. J. AU - Lee, S. PY - 2013 DA - 2013// TI - A platform for large-scale graphene electronics – CVD growth of single-layer graphene on CVD-grown hexagonal boron nitride JO - Adv. Mater. VL - 25 ID - Wang2013 ER - TY - JOUR AU - Oh, J. G. AU - Hong, S. K. AU - Kim, C. -. K. AU - Bong, J. H. AU - Shin, J. AU - Choi, S. -. Y. AU - Cho, B. J. PY - 2014 DA - 2014// TI - High performance graphene field-effect transistors on an aluminum nitride substrate with high surface phonon energy JO - Appl. Phys. Lett. VL - 104 ID - Oh2014 ER - TY - JOUR AU - Wu, Y. AU - Lin, Y. AU - Bol, A. A. AU - Jenkins, K. A. AU - Xia, F. AU - Farmer, D. B. AU - Zhu, Y. AU - Avouris, P. PY - 2011 DA - 2011// TI - High-frequency, scaled graphene transistors on diamond-like carbon JO - Nature VL - 472 ID - Wu2011 ER - TY - JOUR AU - Schwierz, F. PY - 2010 DA - 2010// TI - Graphene transistors JO - Nat. Nanotechnol. VL - 5 ID - Schwierz2010 ER - TY - JOUR AU - Liao, L. AU - Bai, J. AU - Cheng, R. AU - Lin, Y. C. AU - Jiang, S. AU - Huang, Y. AU - Duan, X. PY - 2010 DA - 2010// TI - Top-gated graphene nanoribbon transistors with ultrathin high-k dielectrics JO - Nano Lett. VL - 10 ID - Liao2010 ER - TY - JOUR AU - Javey, A. AU - Kim, H. AU - Brink, M. AU - Wang, Q. AU - Ural, A. AU - Guo, J. AU - Mcintyre, P. AU - Mceuen, P. AU - Lundstrom, M. AU - Dai, H. PY - 2002 DA - 2002// TI - High-k dielectrics for advanced carbon-nanotube transistors and logic gates JO - Nat. Mater. VL - 1 ID - Javey2002 ER - TY - JOUR AU - Robertson, J. PY - 2004 DA - 2004// TI - High dielectric constant oxides JO - Eur. Phys. J. Appl. Phys. VL - 28 ID - Robertson2004 ER - TY - JOUR AU - Leskela, M. AU - Ritala, M. PY - 2002 DA - 2002// TI - Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures JO - Thin Solid Films VL - 409 ID - Leskela2002 ER - TY - JOUR AU - Ritala, M. AU - Kukli, K. AU - Rahtu, A. AU - Raisanen, P. I. AU - Leskela, M. AU - Sajavaara, T. AU - Keinonen, J. PY - 2000 DA - 2000// TI - Atomic layer deposition of oxide thin films with metal alkoxides as oxygen sources JO - Science VL - 288 ID - Ritala2000 ER - TY - STD TI - JG Oh, Y Shin, WC Shin, O Sul, BJ Cho, Dirac voltage tunability by Hf1−xLaxO gate dielectric composition modulation for graphene field effect devices Appl. Phys. Lett. 99, 193503 (2011) ID - ref107 ER - TY - STD TI - M Ritala, M Leskela, JP Dekker, C Mutsaers, PJ Soininen, J Skarp, Perfectly conformal TiN and Al2O3 films deposited by atomic layer deposition. Chem. Vap. Deposition. 5, 7–9 (1999) ID - ref108 ER - TY - STD TI - K Kukli, J Ihanus, M Ritala, M Leskela, Tailoring the dielectric properties of HfO2-Ta2O5 nanolaminates. Appl. Phys. Lett. 68, 3737–3739 (1996) ID - ref109 ER - TY - JOUR AU - Yang, F. H. AU - Yang, R. T. PY - 2002 DA - 2002// TI - Ab initio molecular orbital study of adsorption of atomic hydrogen on graphite: insight into hydrogen storage in carbon nanotubes JO - Carbon VL - 40 ID - Yang2002 ER - TY - JOUR AU - Xuan, Y. AU - Wu, Y. Q. AU - Shen, T. AU - Qi, M. AU - Capano, M. A. AU - Cooper, J. A. AU - Ye, P. D. PY - 2008 DA - 2008// TI - Atomic-layer-deposited nanostructures for graphene-based nanoelectronics JO - Appl. Phys. Lett. VL - 92 ID - Xuan2008 ER - TY - STD TI - B Lee, SY Park, HC Kim, KJ Cho, EM Vogel, MJ Kim, RM Wallace, J Kim, Conformal Al2O3 dielectric layer deposited by atomic layer deposition for graphene based nanoelectronics. Appl. Phys. Lett. 92, 203102 (2008) ID - ref112 ER - TY - JOUR AU - Wang, X. AU - Tabakman, S. M. AU - Dai, H. PY - 2008 DA - 2008// TI - Atomic layer deposition of metal oxides on pristine and functionalized graphene JO - J. Am. Chem. Soc. VL - 130 ID - Wang2008 ER - TY - JOUR AU - George, S. M. AU - Ott, A. W. AU - Klaus, J. W. PY - 1996 DA - 1996// TI - Surface chemistry for atomic layer growth JO - J. Phys. Chem. VL - 100 ID - George1996 ER - TY - JOUR AU - Puurunen, R. L. PY - 2005 DA - 2005// TI - Surface chemistry of atomic layer deposition: a case study for the trimethylaluminium/water process JO - J. Appl. Phys. VL - 97 ID - Puurunen2005 ER - TY - JOUR AU - George, S. M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Atomic layer deposition: an overview JO - Chem. Rev. VL - 110 ID - George2010 ER - TY - JOUR AU - Garces, N. Y. AU - Wheeler, V. D. AU - Gaskill, D. K. PY - 2012 DA - 2012// TI - Graphene functionalization and seeding for dielectric deposition and device integration JO - J. Vac. Sci. Technol. B VL - 30 ID - Garces2012 ER - TY - JOUR AU - Hollander, M. J. AU - Agrawal, A. AU - Bresnehan, M. S. AU - LaBella, M. AU - Trumbull, K. A. AU - Cavalero, R. AU - Snyder, D. W. AU - Datta, S. AU - Robinson, J. A. PY - 2013 DA - 2013// TI - Heterogeneous integration of hexagonal boron nitride on bilayer quasi-free-standing epitaxial graphene and its impact on electrical transport properties JO - Phys. Stat. Solidi. A. VL - 210 ID - Hollander2013 ER - TY - STD TI - S Kim, J Nah, I Jo, D Shahrjerdi, L Colombo, Z Yao, E Tutuc, SK Banerjee, Realization of a high mobility dual-gated graphene field-effect transistor with Al2O3 dielectric. Appl. Phys. Lett. 94, 062107 (2009) ID - ref119 ER - TY - STD TI - S McDonnell, A Azcatl, G Mordi, C Floresca, A Pirkle, L Colombo, J Kim, M Kim, RM Wallace, Scaling of HfO2 dielectric on CVD graphene. Appl. Surf. Sci. 294, 95–99 (2014) ID - ref120 ER - TY - JOUR AU - Hollander, M. J. AU - LaBella, M. AU - Hughes, Z. R. AU - Zhu, M. AU - Trumbull, K. A. AU - Cavalero, R. AU - Snyder, D. W. AU - Wang, X. AU - Hwang, E. AU - Datta, S. AU - Robinson, J. A. PY - 2011 DA - 2011// TI - Enhanced transport and transistor performance with oxide seeded high-k gate dielectrics on wafer-scale epitaxial graphene JO - Nano Lett. VL - 11 ID - Hollander2011 ER - TY - JOUR AU - Farmer, D. B. AU - Chiu, H. Y. AU - Lin, Y. M. AU - Jenkins, K. A. AU - Xia, F. AU - Avouris, P. PY - 2009 DA - 2009// TI - Utilization of a buffered dielectric to achieve high field-effect carrier mobility in graphene transistors JO - Nano Lett. VL - 9 ID - Farmer2009 ER - TY - JOUR AU - Alaboson, J. M. P. AU - Wang, Q. H. AU - Emery, J. D. AU - Lipson, A. L. AU - Bedzyk, M. J. AU - Elam, J. W. AU - Pellin, M. J. AU - Hersam, M. C. PY - 2011 DA - 2011// TI - Seeding atomic layer deposition of high-k dielectrics on epitaxial graphene with organic self-assembled monolayers JO - ACS Nano VL - 5 ID - Alaboson2011 ER - TY - JOUR AU - Sangwan, V. K. AU - Jariwala, D. AU - Filippone, S. A. AU - Karmel, H. J. AU - Johns, J. E. AU - Alaboson, J. M. P. AU - Marks, T. J. AU - Lauhon, L. J. AU - Hersam, M. C. PY - 2013 DA - 2013// TI - Quantitatively enhanced reliability and uniformity of high-k dielectrics on graphene enabled by self-assembled seeding layers JO - Nano Lett. VL - 13 ID - Sangwan2013 ER - TY - JOUR AU - Shin, W. C. AU - Kim, T. Y. AU - Sul, O. AU - Cho, B. J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Seeding atomic layer deposition of high-k dielectric on graphene with ultrathin poly(4-vinylphenol) layer for enhanced device performance and reliability JO - Appl. Phys. Lett. VL - 101 ID - Shin2012 ER - TY - JOUR AU - Kim, Y. T. AU - Lee, S. K. AU - Kim, K. S. AU - Kim, Y. H. AU - Ahn, J. H. AU - Kwon, Y. U. PY - 2014 DA - 2014// TI - Uniform growth of high-quality oxide thin films on graphene using a CdSe quantum dot array seeding layer JO - ACS Appl. Mater. Interfaces VL - 6 ID - Kim2014 ER - TY - STD TI - B Lee, G Mordi, MJ Kim, YJ Chabal, EM Vogel, RM Wallace, KJ Cho, L Colombo, J Kim, Characteristics of high-k Al2O3 dielectric using ozone-based atomic layer deposition for dual-gated graphene devices. Appl. Phys. Lett. 97, 043107 (2010) ID - ref127 ER - TY - JOUR AU - Nayfeh, O. M. AU - Marr, T. AU - Dubey, M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Impact of plasma-assisted atomic-layer-deposited gate dielectric on graphene transistors JO - IEEE. Electron. Device. Lett. VL - 32 ID - Nayfeh2010 ER - TY - JOUR AU - Shin, W. C. AU - Bong, J. H. AU - Choi, S. -. Y. AU - Cho, B. J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Functionalized graphene as ultrathin seed layer for the atomic layer deposition of conformal high-k dielectrics on graphene JO - ACS Appl. Mater. Interfaces VL - 5 ID - Shin2013 ER -